分子动力学或AIMD模拟H原子在Si-SiO2界面的扩散行为，获得H原子在Si-SiO2界面的扩散系数扩散能垒等性质。研究离子在大规模体系界面间的扩散机制，可广泛应用于半导体抗辐照性能，电池材料服役寿命等研究领域。