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H原子在Si-SiO2界面的扩散行为
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      分子动力学或AIMD模拟H原子在Si-SiO2界面的扩散行为,获得H原子在Si-SiO2界面的扩散系数扩散能垒等性质。研究离子在大规模体系界面间的扩散机制,可广泛应用于半导体抗辐照性能,电池材料服役寿命等研究领域。

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